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Técnicas litográficasde hacesde electrones,iones,rayosX.
Tecnologías de fabricaciónavanzadacentradasen: reducciónde
volumen físico, endurecimiento-robustecimiento
antirradiación,in
cremento de los rasgos de tolerancia de los dispositivos,a la
temperatura.
Técnicas de empaquetamientoe interconexiónque mejoren las
prestacionesde los circuitosy prevenganla degradación.
Tecnologíasque mejorenla calidadde los circuitosmicroelectróni
cos.
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b)
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Objetivos
tecnológicoscríticosa medioplazodentrode estatecnología:
Preparaciónde compuestosde materialessemiconductores.
Empaquetamiento
e interconexiónavanzada.
CAD avanzadoparacircuitoscada vezmás densosy complejosde
diseño.
Endurecimiento-robustecimiento
antirradiación.
Técnicas para dispositivosde volumeninferiora 0,2 micras.
Litografíapara producciónen serie inferiora 0,3 micras.
Durante este medio plazo coexistiránla tecnologíaavanzadade
dispositivossemiconductores
sobresoportesde silicioy los disposi
tivos de arseniurode galiode tecnologíatodavíainmaduraperocon
ventajas considerablessobre las anteriorestales como: mayor
velocidad,mayorresistenciaa los dañosproducidospor la radiación
y mayorresistenciaa la temperatura.
c)
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Posibles
aplicacionesmilitares:
Mayorescapacidades
y velocidadde procesoen armas«inteligentes>’.
Plataformasaéreasinestables,estabilizadasactivamente.
Circuitos autocomprobadores(BIT) aumentandola fiabilidad y
disponibilidadde los sistemas,reduciendolos problemasde mante
nimiento.
Disponibilidadde memoriamasivadel ordende gigabits.
Mejora y expansióndel C31.
Incremento dé capacidades de su conocimiento,vigilancia de
campo y adquisiciónde blanco.
Situaciónindustrialeuropeaen esteáreatecnológica:
La UniónSoviética:disponede capacidadde producirsustratosde
arseniuro de galio de elevadacalidada nivelde seriespilotos,pero
carece de estacapacidada nivelde producciónindustrial.
Francia:realizandotrabajosavanzadosde estructurasde arseniuros
de galio e indio paraópticasintegradas.
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