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CMOS 3 V/5 V 広帯域幅クワッド2:1マルチプレクサ ADG774 特長 機能ブロック図 低い挿入損失と低いオン抵抗: 4Ω(Typ) オン抵抗平坦性＜2 V ADG774 帯域幅＞200 MHz S1A 3 V/5 V単電源動作 S1B レールtoレール動作が可能 S2A 超低歪み: ＜1% S2B 小さい静止電源電流: 100 nA (Typ) S3A 高速スイッチング時間 S3B D1 D2 D3 S4A tON 10 ns D4 S4B tOFF 4 ns TTL/CMOS互換 1: 2デコーダ アプリケーション EN 10/100ベース-TX/T4 IN 100VG-AnyLAN トークン・リング4 Mbps/16 Mbps ATM25/155 NICアダプタ／ハブ オーディオとビデオのスイッチング リレー部品の置換え 概要 これらのスイッチは、閉じているとき両方向に同じ特性で導通 ADG774は、高インピーダンス出力を持つ4個の2:1マルチプレク し、入力信号範囲は電源電圧まで可能です。スイッチが開いている サ/ディマルチプレクサから構成されるモノリシックCMOSデバイ ときは、電源電圧までの信号レベルを阻止することができます。 スです。CMOSプロセスは、低消費電力、高速スイッチング、低いオ ADG774スイッチは、 “ブレーク・ビフォア・メイク”スイッチング ン抵抗を可能にします。オン抵抗の変化は、0 ∼5 Vの入力信号範囲 動作が可能です。 で0.5Ω(typ)未満に抑えられています。 ADG774の帯域幅は200 MHzより広く、この高帯域と低歪み(0.5% 製品のハイライト typ)の組み合わせにより、高速イーサネット信号のスイッチングに 1. 広帯域幅データ・レート＞200 MHz。 最適です。 2. 超低消費電力。 オン抵抗特性は全アナログ入力範囲で非常に平坦であり、オー 3. 広い信号範囲。 ディオ信号のスイッチングでは優れた直線性と低歪みを保証しま ADG774はCMOSプロセスで製造されているため、電源電圧まで す。 高速スイッチングと広い信号帯域幅を兼ね備えているのでビデ 駆動可能な広い信号範囲を持っています。 オ信号スイッチングにも最適です。 CMOS構造により超低消費電力 4. 全温度範囲での低いリーク電流。 が保証されているため、 ポータブル機器とバッテリ駆動の機器にも 5.“ブレーク・ビフォア・メイク”スイッチング機能。 最適です。 この機能により、 スイッチをマルチプレクサとして使用する際に ADG774は3.3 V/5 Vの単電源で動作し、TTLロジックと互換性を チャンネルのショートを防止することができます。 持っています。 各スイッチの制御ロジックを後述の真理値表に示し 6. クロストーク: −70 dB (typ) @ 30 MHz。 ます。 7. オフ時のアイソレーション: −60 dB (typ) @ 10 MHz。 アナログ・デバイセズ社が提供する情報は正確で信頼できるものを期していますが、 当社はその情報の利用、また利用したことにより引き起こされる第3者の特許または権 利の侵害に関して一切の責任を負いません。さらにアナログ・デバイセズ社の特許また は特許の権利の使用を許諾するものでもありません。 REV.0 アナログ・デバイセズ株式会社 本 社／東京都港区海岸１ - １ ６ - １ 電話03（5402）8200 〒105−6891 ニューピア竹芝サウスタワービル 大阪営業所／大阪市淀川区宮原３ - ５ - ３ ６ 電話06（6350）6868㈹ 〒532−0003 新大阪第２森ビル ADG774―仕様 単電源(VDD = ＋5 V ±10%、GND = 0 V。特に指定のない限り、TMIN ∼ TMAX で全仕様を規定。) Bバージョン パラメータ ＋25℃ TMIN ∼ TMAX 単位 テスト条件／備考 アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 0 V ∼ VDD オン抵抗(RON) 2.2 チャンネル間オン抵抗マッチ(ΔRON) 0.15 オン抵抗平坦性(RFLAT(ON)) V Ωtyp 5 Ωmax 0.5 Ωtyp Ωtyp 0.5 Ωtyp VD = 0 V ∼ VDD、IS = −10 mA VD = 0 V ∼ VDD、IS = −10 mA VD = 0 V ∼ VDD; IS = −1 mA 1 Ωmax nA typ VD = 4.5 V、VS = 1 V; VD = 1 V、VS = 4.5V; ±1 nA max テスト回路2 nA typ VD = 4.5 V、VS = 1 V; VD = 1 V、VS= 4.5V; ±1 nA max テスト回路2 nA typ VD = VS = 4.5 V; VD = VS = 1 V; テスト回路3 ±1 nA max 入力ハイ電圧、VINH 2.4 V min 入力ロー電圧、VINL 0.8 V max リーク電流 ソースOFFリークIS (OFF) ±0.01 ±0.5 ドレインOFFリークID (OFF) ±0.01 ±0.5 チャンネルONリークID、 IS (ON) ±0.01 ±0.5 デジタル入力 入力電流 IINLまたはIINH 0.001 μA typ ±0.5 VIN = VINLまたはVINH μA max ダイナミック性能2 tON tOFF ブレーク・ビフォア・メイク時間遅延、tD オフ時のアイソレーション 10 ns typ 20 ns max RL = 100 Ω、CL = 35 pF, VS = ＋3 V; テスト回路4 4 ns typ RL = 100 Ω、CL = 35 pF, 8 ns max VS = ＋3 V; テスト回路4 5 ns typ RL = 100 Ω、CL = 35 pF, 1 ns min VS1 = VS2 = ＋5 V; テスト回路5 −65 dB typ RL = 100 Ω、f = 10 MHz; テスト回路7 RL = 100 Ω、f = 10 MHz;テスト回路8 チャンネル間クロストーク −75 dB typ −3 dB帯域幅 240 MHz typ RL = 100 Ω; テスト回路6 歪み 0.5 % typ RL = 100 Ω 電荷注入 10 pC typ CL = 1 nF; テスト回路9 CS (OFF) 10 pF typ f = 1 kHz CD (OFF) 20 pF typ f = 1 kHz CD 、 CS (ON) 30 pF typ 電源条件 f = 1 MHz VDD = ＋5.5 V デジタル入力= 0 VまたはVDD IDD 1 μA max IIN 1 μA typ VIN = ＋5 V IO 100 mA max VS/VD = 0 V 0.001 μA typ 注 1 温度範囲: Bバージョンは−40 ∼＋85℃。 2 設計上保証しますが、製造時テストは行いません。 仕様は予告無く変更されることがあります。 −2− REV.0 ADG774 単電源(VDD = ＋3 V ±10%、GND = 0 V。特に指定のない限り、TMIN ∼ TMAX で全仕様を規定。) Bバージョン パラメータ ＋25℃ TMIN ∼ TMAX 単位 0 V ∼ VDD V テスト条件／備考 アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗(RON) 4 チャンネル間オン抵抗マッチ(ΔRON) 0.15 Ωtyp VD = 0 V ∼ VDD、IS = −10 mA 8 Ωmax 0.5 Ωmax 4 Ωmax nA typ VD = 3 V、VS = 1 V; VD = 1 V、VS = 3 V; ±1 nA max テスト回路2 nA typ VD = 3 V、 VS = 1 V; VD = 1 V、VS = 3 V; ±1 nA max テスト回路2 nA typ VD = VS = 3 V; VD = VS = 1 V; テスト回路3 ±1 nA max 入力ハイ電圧、 VINH 2.0 V min 入力ロー電圧、 VINL 0.4 V max オン抵抗平坦性(RFLAT(ON)) Ωtyp 2 VD = 0 V ∼ VDD、IS = −10 mA Ωtyp VD = 0 V ∼ VDD、IS = −10 mA リーク電流 ソースOFFリークIS (OFF) ±0.01 ±0.5 ドレインOFFリークID (OFF) ±0.01 ±0.5 チャンネルONリークID、 IS (ON) ±0.01 ±0.5 デジタル入力 入力電流 IINLまたはIINH 0.001 μA typ VIN = VINLまたはVINH ±0.5 μA max 12 ns typ 25 ns max VS = ＋1.5 V; テスト回路4 5 ns typ RL = 100 Ω、CL = 35 pF, 10 ns max VS = +1.5 V; テスト回路4 5 ns typ RL = 100 Ω、CL = 35 pF, 1 ns min VS1 = VS2 = 3 V; テスト回路5 −65 dB typ RL= 50 Ω、f = 10 MHz;テスト回路7 チャンネル間クロストーク −75 dB typ RL = 50 Ω、f = 10 MHz;テスト回路8 −3 dB帯域幅 240 MHz typ RL = 50 Ω; テスト回路6 歪み 2 % typ RL = 50 Ω CL = 1 nF; テスト回路9 動的特性2 tON tOFF ブレーク・ビフォア・メイク時間遅延、tD オフ時のアイソレーション RL = 100 Ω、CL = 35 pF, 電荷注入 3 pC typ CS (OFF) 10 pF typ f = 1 kHz CD (OFF) 20 pF typ f = 1 kHz CD 、 CS (ON) 30 pF typ f = 1 MHz 電源条件 VDD = ＋3.3 V デジタル入力= 0 VまたはVDD IDD 1 μA max IIN 1 μA typ VIN = ＋3 V IO 100 mA max VS/VD = 0 V 0.001 μA typ 注 1 温度範囲: Bバージョンは−40 ∼＋85℃。 2 設計上保証しますが、製造時テストは行いません。 仕様は予告無く変更されることがあります。 表I. 真理値表 REV.0 EN IN D1 D2 1 X Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z ディスエーブル 0 0 S1A S2A S3A S4A IN = 0 0 1 S1B S2B S3B S4B IN = 1 −3− D3 D4 機能 ADG774 絶対最大定格1 (特に指定のない限り、TA = ＋25℃) 用語 VDD∼GND …………………………………………… −0.3 ∼ ＋6 V アナログ、デジタル入力2 ………… −0.3 V ∼ VDD ＋0.3 Vまたは 30 mAの先に発生する方 連続電流、SまたはD ……………………………………… 100 mA ピーク電流、SまたはD …………………………………… 300 mA (1 ms、デューティ・サイクル最大10%のパルス) 動作温度範囲 工業用(Bバージョン) …………………………… −40 ∼ ＋85℃ 保存温度範囲 VDD 正電源電位 GND グラウンド(0 V)リファレンス S ソース・ピン。入力または出力 D ドレイン・ピン。入力または出力 IN ロジック制御入力 EN ロジック制御入力 RON DとSの間の抵抗オーム値 ΔRON 任意の2チャンネル間のオン抵抗のマッチ度 ……………………………………… −65 ∼ ＋150℃ 接合温度 …………………………………………………… ＋150℃ SOICパッケージ、消費電力 ……………………………… 600 mW すなわちRON max - RON min RFLAT(ON) 平坦性は、規定アナログ信号範囲で測定され オン抵抗の最大値と最小値の間の差と定義さ ΘJA熱インピーダンス …………………………………… 100℃/W れます ピン温度、ハンダ処理 蒸着(60 sec) ……………………………………………… ＋215℃ IS (OFF) スイッチ“OFF”時のソース・リーク電流 赤外線(15 sec) …………………………………………… ＋220℃ ID (OFF) スイッチ“OFF”時のドレイン・リーク電流 QSOPパッケージ、消費電力 ……………………………… 566 mW ID 、IS (ON) スイッチ“ON”時のチャンネル・リーク電流 ΘJA熱インピーダンス ……………………………… VD (VS ) ピンDとピンSのアナログ電圧 CS (OFF) スイッチ“OFF”時のソース容量 CD (OFF) スイッチ“OFF”時のドレイン容量 149.97℃/W ピン温度、ハンダ処理 蒸着(60 sec) ……………………………………………… ＋215℃ 赤外線(15 sec) …………………………………………… ＋220℃ ESD ……………………………………………………………… 2 kV 注 1 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久的な損傷を与えること があります。この規定はストレス定格の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動 作セクションに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません。デ バイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの信頼性に影響を与えます。同時に 複数の絶対最大定格項目を加えることはできません。 2 IN、SまたはD上の過電圧は内部ダイオードによりクランプされます。電流は最大定格値 に制限する必要があります。 CD 、 CS (ON) スイッチ“ON”時の容量 tON デジタル制御入力から出力スイッチングがON になるまでの遅延。テスト回路4を参照 tOFF デジタル制御入力から出力スイッチングが OFFになるまでの遅延 tD 1つのアドレス状態から別のアドレス状態に切 り替える際に、両スイッチの90%値で測定した ピン配置 “OFF”時間または“ON”時間。回路5を参照 (SOIC/QSOP) クロストーク 1つのチャンネルから別のチャンネルに寄生容 量を経由して混入する不要な信号の大きさ 16 IN 1 S1A 2 S1B 3 D1 4 ADG774 VDD 15 EN 14 S4A 13 S4B 上面図 S2A 5 (縮尺は異なります) 12 D4 S2B 6 11 S3A D2 7 10 S3B GND 8 9 D3 オフ・アイソ “OFF”状態のスイッチを通過して混入する レーション 不要信号の大きさ 帯域幅 ON状態にあるスイッチの周波数応答、 3 dB減衰 のところで測定 歪み RFLAT(ON)/RL オーダー・ガイド モデル 温度範囲 パッケージ パッケージ・オプション ADG774BR −40 ∼ ＋85℃ R = 0.15"スモール・アウトラインIC (SOIC) R-16A ADG774BRQ −40 ∼ ＋85℃ RQ = 0.15"クォータ・サイズ・アウトライン・パッケージ(QSOP) RQ-16 注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。4000 Vもの高圧の静電気が人体やテスト装置に容易に帯電し、検知され ることなく放電されることもあります。このADG774には当社独自のESD保護回路が備えられていますが、高エネルギーの静 電放電にさらされたデバイスには回復不能な損傷が残ることもあります。 したがって、 性能低下や機能喪失を避けるために、 適切なESD予防措置をとるようお奨めします。 −4− WARNING! ESD SENSITIVE DEVICE REV.0 代表的な性能特性― ADG774 5.0 4.5 0 TA = +25°C VDD = +2.7V VDD = +5V 4.0 3.0 オン応答―dB RON – Ω 3.5 VDD = +3.0V 2.5 VDD = +4.5V 2.0 –2 –4 1.5 VDD = +5.0V 1.0 0.5 0 1.3 2.5 3.7 VSまたはVD（ドレイン電圧またはソース電圧）–V –6 10k 4.9 図1. 各単電源に対するVD (VS)の関数としてのオン抵抗 100k 1M 10M 周波数―Hz 100M 図4. オン応答 対 周波数 0 3.0 VDD = +5V VDD = +5V RL = 100Ω –10 2.5 –20 –30 +85°C 1.5 減衰量―dB RON – Ω 2.0 +25°C –40°C 1.0 –40 –50 –60 –70 –80 0.5 –90 –100 100k 0 1.3 2.5 3.7 VSまたはVO（ドレイン電圧またはソース電圧）―V 4.9 図2. 各温度におけるVD (VS)の関数としてのオン抵抗 1M 10M 周波数―Hz 100M 1G 図5. オフ・アイソレーション 対 周波数 (5 V単電源) 0 4.5 VDD = +3V 4.0 –10 +85°C –20 3.5 VDD = +5V RL = 100Ω V P-P = 0.316V –30 +25°C 減衰量―dB RON – Ω 3.0 2.5 –40°C 2.0 1.5 –50 –60 –70 1.0 –80 0.5 –90 –100 100k 0 0.6 1.1 1.6 2.1 2.6 VSまたはVO（ドレイン電圧またはソース電圧）―V 1M 10M 100M 周波数―Hz 図3. 各温度におけるVD (VS)の関数としてのオン抵抗 図6. クロストーク 対 周波数 (3 V単電源) REV.0 –40 −5− 1G ADG774 20 VDD = +5V TA = +25°C 15 電荷注入―pC 10 5 0 –5 –10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 ソース電圧―V 3.5 4.0 4.5 5.0 図7. 電荷注入 対 電源電圧 10 BASE TX+ TX1 10 BASE TX– ADG774 100 BASE TX+ TX2 100 BASE TX– RJ45 10 BASE TX+ RX1 10 BASE TX– トランス 100 BASE TX+ RX2 100 BASE TX– 10 BASE TX 100 BASE TX 図8. 全二重トランシーバ TX1 120Ω 100Ω RX1 図9. ループバック 図10. ライン終端 −6− 図11. ライン・クランプ REV.0 ADG774 テスト回路 IDS IS (OFF) V1 A S ID (OFF) S D D A D VD VS VS ID (ON) S A VD VS RON = V1/IDS テスト回路1. オン抵抗 テスト回路2. オフ時のリーク電流 テスト回路3. オン時のリーク電流 +5V 0.1µ F VIN 3V VDD 50% S 50% VOUT D 90% VS RL 100Ω IN CL 35pF 90% VOUT tOFF tON GND EN テスト回路4. スイッチング時間 +5V 0.1µF VDD 3V S1A VOUT D1 VIN VS RL 100Ω VS CL 35pF 50% 50% 0V S1B VOUT 50% 50% VS デコーダ tD EN tD GND テスト回路5. ブレーク・ビフォア・メイク時間遅延 +5V +5V 0.1µF 0.1µ F VDD VDD VOUT D1 D1 RL 100Ω IN VIN VS EN VIN EN GND テスト回路6. 帯域幅 REV.0 VOUT S1B RL 100Ω IN VS S1A GND テスト回路7. オフ・アイソレーション −7− ADG774 +5V 0.1µF D1 S2A D2 100Ω D3172-2.7-12/99,1A VDD S1A VS NC VOUT RL 100Ω GND EN VIN チャンネル間クロストーク = 20 x LOG |VS/VOUT | テスト回路8. チャンネル間のクロストーク +5V VDD ADG774 RS S1A VS S1B CL S2A 1nF S2B CL S3A 1nF S3B CL S4A 1nF S4B CL D1 VOUT 3V VIN D2 VOUT ∆ VOUT VOUT D3 VOUT QINJ = CL x ∆VOUT D4 VOUT 1nF 1 OF 2 DECODER EN IN テスト回路9. 電荷注入 外形寸法 サイズはインチと（mm）で示します。 16ピンSOIC 16ピンQSOP (R-16A) (RQ-16) 0.197 (5.00) 0.189 (4.80) 0.1574 (4.00) 0.1497 (3.80) 16 9 1 8 ピン 1 0.0098 (0.25) 0.0040 (0.10) 0.0500 実装面 (1.27) BSC 0.2550 (6.20) 0.2284 (5.80) 0.0688 (1.75) 0.0532 (1.35) 0.0192 (0.49) 0.0138 (0.35) 0.0099 (0.25) 0.0075 (0.19) 9 0.244 (6.20) 0.228 (5.79) 1 0.0196 (0.50) x 45° 0.0099 (0.25) 8° 0° 0.0500 (1.27) 0.0160 (0.41) 8 ピン 1 0.059 (1.50) MAX 0.010 (0.25) 0.004 (0.10) 0.025 (0.64) BSC 0.069 (1.75) 0.053 (1.35) 0.012 (0.30) 0.008 (0.20) 実装面 0.010 (0.20) 0.007 (0.18) 8° 0° 0.050 (1.27) 0.016 (0.41) うにやさ ゅ い し ちき 16 0.157 (3.99) 0.150 (3.81) PRINTED IN JAPAN 0.3937 (10.00) 0.3859 (9.80) み る 「この取扱説明書はエコマーク認定の再生紙を使用しています。」 ど りをまも −8− REV.0
