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2SA2034
IC – VCE
−1.2
1000
−12
エミッタ接地
Tc = 25℃
−10
hFE – IC
エミッタ接地
VCE = −5 V
−1.0
Tc = 100°C
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC
(A)
−8
−0.8
−6
−0.6
−4
−0.4
IB = −2 mA
25
100
−55
10
−0.2
0
−4
0
−8
−12
−16
−20
1
0.001
−24
0.01
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
VCE (sat) – IC
−IC
1
10
1
10
(A)
VBE (sat) – IC
10
エミッタ接地
IC/IB = 5
ベース・エミッタ間飽和電圧
−VBE (sat) (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−VCE (sat) (V)
10
0.1
コレクタ電流
1
Tc = 100°C
0.1
−55
エミッタ接地
IC/IB = 5
−55
1
Tc = 100°C
25
0.1
25
0.01
0.001
0.01
1
0.1
コレクタ電流
−IC
0.01
0.001
10
0.01
0.1
コレクタ電流
(A)
−IC
(A)
IC – VBE
コレクタ電流 IC
(A)
−2.0
エミッタ接地
VCE = −5 V
−1.6
−1.2
Tc = 100°C
−0.8
−55
−0.4
25
0
0
−0.2
−0.4
−0.6
−0.8
−1.0
−1.2
ベース・エミッタ間電圧 VBE (V)
3
2013-11-01