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2SA2034 IC – VCE −1.2 1000 −12 エミッタ接地 Tc = 25℃ −10 hFE – IC エミッタ接地 VCE = −5 V −1.0 Tc = 100°C 直流電流増幅率 hFE コレクタ電流 IC (A) −8 −0.8 −6 −0.6 −4 −0.4 IB = −2 mA 25 100 −55 10 −0.2 0 −4 0 −8 −12 −16 −20 1 0.001 −24 0.01 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) VCE (sat) – IC −IC 1 10 1 10 (A) VBE (sat) – IC 10 エミッタ接地 IC/IB = 5 ベース・エミッタ間飽和電圧 −VBE (sat) (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −VCE (sat) (V) 10 0.1 コレクタ電流 1 Tc = 100°C 0.1 −55 エミッタ接地 IC/IB = 5 −55 1 Tc = 100°C 25 0.1 25 0.01 0.001 0.01 1 0.1 コレクタ電流 −IC 0.01 0.001 10 0.01 0.1 コレクタ電流 (A) −IC (A) IC – VBE コレクタ電流 IC (A) −2.0 エミッタ接地 VCE = −5 V −1.6 −1.2 Tc = 100°C −0.8 −55 −0.4 25 0 0 −0.2 −0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 ベース・エミッタ間電圧 VBE (V) 3 2013-11-01