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調整 DRAM Power
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DRAM-AB Current Capability
設置較高的數值提供 DRAM 插槽 A 與 B 更大的總電力範圍，同時擴展超
頻頻率的範圍。
DRAM-CD Current Capability
設置較高的數值提供 DRAM 插槽 C 與 D 更大的總電力範圍，同時擴展超
頻頻率的範圍。
DRAM-AB Voltage Frequency
本項目用來調整內存插槽 A 與 B 切換頻率。指派固定的高內存頻率來增加超
頻的範圍，或低內存頻率以獲得較佳的系統穩定度。
DRAM-CD Voltage Frequency
本項目用來調整內存插槽 C 與 D 切換頻率。指派固定的高內存頻率來增加超
頻的範圍，或低內存頻率以獲得較佳的系統穩定度。
DRAM-AB Power Phase Control
內存插槽 A 或 B，選擇 Extreme 設置全相模式來增加系統性能，或是選擇
Optimized 設置華碩最佳化相數調整設置檔來增加內存電力效率。
DRAM-CD Power Phase Control
• 實際表現性能將依使用的處理器與內存型號而異。
• 請勿將散熱系統移除，散熱情況應受到監控。
華碩 RAMPAGE IV BLACK EDITION 主板用戶手冊 4-15
第四章
內存插槽 C 或 D，選擇 Extreme 設置全相模式來增加系統性能，或是選擇
Optimized 設置華碩最佳化相數調整設置檔來增加內存電力效率。