Download Christos SARANTOPOULOS sur les

Chapitre III – Etude de la croissance des films de TiO2 sur substrats plans (LPCVD)
(a)
Intensité (u.a)
Ti 2p
TiO2 non dopé
400°C
400°C
350°C
300°C
454
456
458
460
462
464
466
468
Figure 3.32
Spectres XPS des films de TiO2 élaborés
sur Si(100) à températures variables.
Energie (eV)
(b)
(P = 20 Torr, χTTIP = 65 ×10-6, R = 2200).
a) Ti2p ; b) N1s.
N 1s
Intensité (u.a)
400°C
350°C
300°C
392
394
396
398
400
402
404
Energie (eV)
La Figure 3.34a montre que le rapport O/Ti déterminé par ESCA au voisinage de la surface des
dépôts augmente avec la teneur relative en carbone, indiquant qu’il s’agit de carbone de contamination
appartenant à donc à des espèces moléculaires oxygénées accumulées sur la surface des dépôts.
Parallèlement, la teneur en azote diminue sensiblement. Ceci montre que la présence d’azote sur la
surface du film est masquée par l’accumulation du carbone sur premières couches de la surface de
l’échantillon. Donc la détection d’azote en très faible quantité (dopage électronique) devient plus
difficile par l’analyse ESCA.
85