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ADP1173―仕様
（特に指定のない限り、TA＝0℃∼＋70℃、VIN＝3 V）
型式
シンボル
条件
静止電流
IQ
スイッチ・オフ
静止電流、
IQ
ブースト・モード構成
入力電圧
VIN
最小
標準
最大
単位
110
150
μA
無負荷、TA＝＋25℃
ADP1173-3.3
135
ADP1173-5
135
μA
ADP1173-12
250
μA
ステップ・アップ・モード
2.0
ステップ・ダウン・モード
ADP11731
コンパレータ・トリップ・ポイント電圧
出力感知電圧
VOUT
発振器周波数
1.30
V
3.14
3.30
3.46
V
4.75
5.00
5.25
V
11.4
12.0
12.6
V
ADP1173
5
12
mV
mV
ADP1173-3.32
2
電源投入時間
ADP1173-3.3
13
35
ADP1173-5
20
55
mV
ADP1173-12
50
100
mV
16
24
32
kHz
全負荷
43
55
63
％
ILIMはVINに接続
15
23
32
μs
fOSC
デューティサイクル
tON
V
V
1.245
ADP1173-5
出力ヒステリシス
12.6
30
1.20
ADP1173-122
コンパレータ・ヒステリシス
μA
フィードバック・ピン・バイアス電流
ADP1173、VFB＝0 V
60
290
nA
設定ピン・バイアス電流
VSET＝VREF
70
150
nA
ISINK＝100μA、VSET＝1.00 V
0.15
0.4
V
2.0 V≤VIN≤5 V
0.2
0.4
％/V
5 V≤VIN≤30 V
0.02
0.075
％/V
VIN＝3.0 V、ISW＝650 mA
0.5
0.85
V
0.8
1.0
V
1.4
V
1.5
V
1.7
V
ゲイン・ブロック出力ロー
VOL
リファレンスライン・レギュレーション
SWSAT電圧、
VSAT
ステップ・アップ・モード
VIN＝5.0 V、ISW＝1 A、
TA＝＋25℃
VIN＝5.0 V、ISW＝1 A
SWSAT電圧、
VSAT
ステップ・ダウン・モード
VIN＝12 V、TA＝＋25℃
ISW＝650 mA
1.1
VIN＝12 V、ISW＝650 mA
ゲイン・ブロック・ゲイン
AV
電流制限
RL＝100kΩ
3
400
ILIMからVINまで220Ω
1000
V/V
400
mA
−0.3
％/℃
TA＝＋25℃
電流制限温度係数
スイッチ・オフ漏電流
最大偏位（GNDより下）
VSW2
SW1ピンで測定、TA＝＋25℃
1
10
μA
ISW1≦10μA、スイッチ・オフ
−400
−350
mV
TA＝＋25℃
注
1
本仕様はコンパレータの高低の両トリップ・ポイントが1.20 V∼1.30 Vの範囲になることを保証します。
この出力電圧の波形はコンパレータのヒステリシスのため鋸刃の形状を示します。固定出力バージョンの出力電圧は指定範囲内となります。
3
5 V源とAOピンの間に接続される100 kΩの抵抗
仕様は予告なしに変更される場合があります。
2
−2−
REV.0