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C D E 3/14 4 RAMDB[15..0] (2-A2) 3 VCC3 VCC3 IC6 VCC3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 RAMDB0 RAMDB1 RAMDB2 R49 10kJ RAMDB3 RAMDB4 RAMDB5 RAMDB6 A17 D15 D7 D14 D6 D13 D5 D12 D4 D11 D3 D10 D2 D9 D1 D8 D0 RDZ A1 RAMDB7 MAD10 MAD0 MAD1 MAD2 MAD3 DQM0 (2-A2) (2-A2) /SDWDE (2-A2) /SDCAS (2-A2) /SDRAS (2-A3) /SDCS (2-A3) BANK0 (2-A3) BANK1 VCC DQ0 VCCQ DQ1 DQ2 VSSQ DQ3 DQ4 VCCQ DQ5 DQ6 VSSQ DQ7 VCC LDQM WE CAS RAS CS BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 A3 VCC VSS DQ15 VSSQ DQ14 DQ13 VCCQ DQ12 DQ11 VSSQ DQ10 DQ9 VCCQ DQ8 VSS NC UDQM CLK CLKE NC A11 A9 A8 A7 A6 A5 A4 VSS 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 RAMDB15 RAMDB14 RAMDB13 RAMDB12 RAMDB11 RAMDB10 RAMDB9 RAMDB8 DQM1 (2-A2) SDCLK (2-A2) SDCKE (2-A2) R50 0J MAD12 MAD11 MAD9 MAD8 MAD7 MAD6 MAD5 MAD4 C399 N.M. SDRAM (16bit x 4bank) 2 /CS0 (1-A2) VCC3 C75 0.1u C76 0.1u C77 0.1u C78 0.1u C79 0.1u C80 0.1u C81 0.1u C82 0.1u MAD[12..0] (2-A3) IC6 5 SDRAM LH28F800BJE-PBTL90 128Mb(2Mx16bitx4bank) 0J Vendor/Type MT48LC8M16A2TG-75(Micron) HY57V281620HCT(Hyndai) K4S281632E-TC75(Samsung) W981216BH-75(Winbond) 1 64Mb(1Mx16bitx4bank) C HY57V641620HGT-P Hyndai) MT48LC4M16A2TG-75 Micron) K4S641632F-TC75(Samsung) K4S641632E-TC1H(Samsung) W986416DH-7(Winbond) D AL-1661CS CIRCUIT DIAGRAM 13 - 6 E